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2004년도 제10회 KAIST 나노포럼 개최(12.21)

작성자 관리자 작성일 2004.12.08 조회수21488

KAIST 나노포럼 개최 안내

 KAIST 나노과학기술연구소에서는, 나노연구 활성화의 일환으로 정기적으로 매월 1회씩 나노분야 산학연 전문가들을 모시고 약 1시간에 걸쳐 최근의 연구 동향과 미래의 방향을 듣는“KAIST 나노포럼”을 개최 합니다.

2004년도 제10회 포럼이 아래와 같이 개최됨을 알려드리오니 많은 관심과 참여를 바랍니다.

= 아             래 =

 1. 일 시 : 2004. 12. 21(화), 13 : 30 - 14 : 30

 2. 장 소 : KAIST, 창의학습관 102호실(건물번호 : E 11)

 3. 제 목 : 실리콘 기술의 과거-현재-미래

 4 .Abstract :     

지난 30년 동안 반도체 기술은 무어의 법칙에 따라 혁명적인 발전을 거듭해 왔다.
이러한 비약적인 발전은 소자의 소형화에 의해 이루어졌다. 결국 소형화 기술은 궁극적인 한계에 도달할 것이고 언제 어떻게 그러한 한계가 올 것이지는 큰 관심사 일 수밖에 없다.

이번 발표에서 반도체 기술 발전의 역사와 현재 진행되고 있는 기술의 경향, 기술적 난제들에 대해 고찰하고,현재까지 개발된기술 중 미래 기술로 널리 인정 받고 있는 신구조 신질의 반도체 소자 기술을 소개한다. 그리고 원자 크기에 해당되는 극한 소자가 갖추어야 조건들을 이론적, 기술적 관점에서 제시한다.

현재 사용되고 있는 단일 게이트 구조의 한계를 극복 할 수 있는 대안소자로, 최근에 대표적인 구조로 각광 받는 이중 게이트 FinFET 소자의 기술적 발전과 성과들을 소개한다.

실리콘은 밴드 갭 에너지가 1.12eV에 불과하기에 게이트 길이가 5nm 이하
에서는 트랜지스터의 소스 전극과 드레인 전극 사이에 전자의 양자 투과 현상 때문에 트랜지스터가 꺼진 상태로 존재 할 수 없게 된다. 따라서 이러한 실리콘 기술의 한계를 극복하기 위해서는 유기물 분자,  탄소나노튜브, 상전이를 일으키는 신물질 등의 도입이 필요하고, 각각의 잠재성과 장단점에 대해 비교분석 한다. 

5. 연    사 : 최양규 교수 ( KAIST , 전자전산학과)

 6. 참가대상 : 나노과학기술에 관심있으신 분(참가비 무료)

 7. 주    최 : KAIST 나노과학기술연구소

 8. 후    원 : 나노종합Fab센터 / 나노기술연구협의회 / 한국경제신문사

 9. 문 의 처 : 나노과학기술연구소 (이상건, 042-869-8801)

   이순칠 교수(042-869-2533), 최성민 교수(042-869-3822)

* 자세한 사항은 홈페이지를 참조하시기 바랍니다(http://nri.kaist.ac.kr/)


KAIST 나노과학기술연구소  강 석 중 드림 

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