우리 대학 반도체공학대학원이 8일 오후 3시 대전 본원 전기및전자공학부동(E3-2)에서 첨단장비 개소식을 열고, 산학연이 함께 활용할 수 있는 최첨단 연구 인프라를 공개했다고 8일 밝혔다.
이날 행사에는 이광형 KAIST 총장, 이장우 대전시장을 비롯해 산업통상자원부, 한국산업기술진흥원, 기업, 연구기관 관계자 등 80여 명이 참석했다. 개소식에서는 시높시스코리아 감사패 수여, 축사, 장비 소개가 진행됐으며, 참석자들은 새롭게 구축된 장비와 시설을 둘러보며 지역 산업 발전에 대한 기대를 나타냈다.

< 반도체공학대 원 첨단장비 개소식 참석자 단체사진 >
이번에 도입된 첨단장비는 반도체 소자·소재 및 패키징 분야 연구에 활용될 핵심 인프라로, 설계부터 시뮬레이션, 제작, 평가까지 반도체 개발 전 과정을 아우르는 통합 연구 환경을 제공한다. KAIST 교수·학생뿐만 아니라 지역 기업과 연구기관에도 개방돼 실질적 산학연 협력 거점으로 기능할 전망이다.
특히 반도체공학대학원은 국가 전략 산업인 반도체 분야에서 차세대 기술 개발과 인재 양성을 동시에 추진하는 핵심 기관으로, 한국 반도체 산업 경쟁력 강화의 허브 역할을 맡고 있다. 인공지능, 배터리, 자율주행, 국방 등 모든 첨단 산업의 기반이 되는 반도체는 글로벌 공급망 경쟁이 치열한 분야로, 산학연이 긴밀히 협력할 수 있는 교육·연구 거점 마련이 필수적이다. 이번 첨단장비 개소는 단순 연구 시설을 넘어 지속 가능한 반도체 생태계 구축을 뒷받침하는 국가적 의미를 지닌다.
대전시는 이 사업에 49억 원을 투입하며 적극 지원하고 있다. 이는 대전이 보유한 우수한 연구 인프라와 인재를 반도체 산업으로 결집시켜, 지역 산업의 새로운 성장 동력으로 삼겠다는 의지다. 시는 KAIST와의 협력을 통해 대전을 대한민국 반도체 산업의 실질적 거점으로 육성하는 것을 중요한 전략으로 삼고 있다.

< 반도체공학대학원 첨단장비 개소식에서 이광형 총장이 환영사를 하는 모습 >
우리 대학은 또한 글로벌 반도체 설계 소프트웨어 선도 기업인 시높시스코리아로부터 반도체 공정·소자 시뮬레이션 소프트웨어(TCAD) 라이선스를 기부받아, 세계 최고 수준의 반도체 교육 및 연구 인프라를 갖추게 되었다.
반도체공학대학원 지원 사업은 2023년부터 2028년까지 5년간 총 215억 원 규모(국비 150억 원, 시비 49억 원, KAIST 자체 16억 원)로 추진되고 있다. 전기및전자공학부, 신소재공학과, 물리학과, 기계공학과, 생명화학공학과 교수진 34명이 참여해 225명 이상의 석·박사급 고급 인재를 양성할 계획이다. 현재 반도체공학대학원에는 123명이 재학 중이며, 산학 컨소시엄 20여 개 기업과 협력 프로젝트를 수행하는 등 가시적 성과를 거두고 있다.
이장우 대전시장은 “대전의 연구 인프라와 인재가 결합해 지역 산업 발전으로 이어지길 바란다”며 “앞으로도 KAIST와 협력을 강화하고 적극 지원하겠다”고 강조했다.
시높시스코리아 소경신 대표는 “KAIST 학생들이 TCAD를 활용해 첨단 시뮬레이션 경험을 쌓아 세계 반도체 산업을 이끌 핵심 인재로 성장하길 기대한다”고 밝혔다.

< 반도체공학대학원 장비실 투어사진 >
이광형 총장은 “대전은 국내 최고의 연구 인프라와 인력을 갖춘 반도체 산업 최적지”라며 “이번 첨단장비 개소를 계기로, KAIST는 혁신 연구 성과 창출과 글로벌 인재 양성을 통해 국가 반도체 경쟁력 강화에 더욱 기여하겠다”고 밝혔다.
이번 첨단장비 개소와 시높시스코리아의 기부는 한국 반도체 산업의 질적 성장을 이끄는 중요한 계기가 될 것으로 평가된다. KAIST는 향후 신규 교과·교재 개발, 산학 공동 프로젝트 등을 통해 글로벌 수준의 반도체 인재를 육성하고, 대전을 넘어 국가적 차원의 반도체 산업 발전에 기여한다는 계획이다.
스마트폰과 인공지능(AI) 서비스의 성능과 안정성은 반도체 표면을 얼마나 고르고 정밀하게 가공하느냐에 달려 있다. 우리 대학 연구진은 일상에서 흔히 사용하는 ‘사포’의 개념을 나노 기술로 확장해, 반도체 표면을 원자 수준까지 균일하게 가공할 수 있는 새로운 기술을 개발했다. 이 기술은 고대역폭 메모리(HBM) 등 첨단 반도체 공정에서 표면 품질과 가공 정밀도를 크게 향상시킬 수 있는 가능성을 보여준다. 우리 대학은 기계공학과 김산하 교수 연구팀이 머리카락보다 수만 배 가는 탄소나노튜브를 연마재로 활용한 ‘나노 사포’를 개발했다고 11일 밝혔다. 이 기술은 기존 반도체 제조 공정보다 표면을 더 정밀하게 가공하면서도, 공정 과정에서 발생하는 환경 부담을 줄일 수 있는 새로운 평탄화 기술이다. 사포는 표면을 문질러 매끄럽게 만드는 익숙한 도구지만, 반도체와 같이 극도로 정밀한 표면 가공이 필요한 분야에는 적용이 쉽지 않았다. 이는 일반
2026-02-11유튜브 영상 추천이나 금융 사기 탐지처럼 사람 사이의 복잡한 관계를 빠르게 분석하는 핵심 AI 기술로 ‘그래프 신경망(GNN, Graph Neural Network)’이 있다. 여기서 말하는 그래프는 우리가 떠올리는 그래프 그림이 아니라, 사람과 사람 사이의 연결 관계를 뜻한다. 우리 대학 연구진은 엔비디아보다 추천 속도는 2.1배 빠르고, 지연은 줄이며, 전력 소모까지 낮춘 AI 반도체 기술 ‘오토GNN(AutoGNN)’을 개발해 주목받고 있다. 우리 대학은 전기및전자공학부 정명수 교수 연구팀이 그래프 신경망 기반 인공지능의 추론 속도를 획기적으로 높일 수 있는 AI 반도체 기술 ‘오토GNN’을 세계 최초로 개발했다고 5일 밝혔다. 연구팀은 서비스 지연의 주된 원인이 인공지능 추론 이전 단계인 그래프 전처리(Graph Preprocessing) 과정에 있음을 밝혀냈다. 이 과정은 전체 계산 시간의 70~90%를
2026-02-05TV, 스마트폰, 조명처럼 빛을 내는 반도체는 우리 일상 곳곳에 쓰이고 있다. 하지만 친환경 반도체를 만들기 위해서는 아직 넘어야 할 기술적 장벽이 많다. 특히 머리카락 굵기(약 10만 나노미터)보다 수만 배 작은 크기의 나노 반도체는 이론적으로는 밝은 빛을 낼 수 있지만, 실제로는 빛이 거의 나지 않는 문제가 있었다. 우리 대학 연구진이 이 한계를 해결할 수 있는 새로운 표면 제어 기술을 개발했다. 우리 대학은 신소재공학과 조힘찬 교수 연구팀이 차세대 친환경 반도체 소재로 주목받는 나노 반도체 입자인 인듐 포스파이드(InP)* 매직 사이즈 나노결정(Magic-Sized Clusters, MSC)의 표면을 원자 수준에서 제어하는 원천 기술을 개발했다고 14일 밝혔다. *인듐 포스파이드(InP): 인듐(In)과 인(P)으로 만든 화합물 반도체 물질로 카드뮴 같은 환경 유해 물질을 쓰지 않은 친환경 반도체 소재 연구팀이 주목한 소재는 ‘매직 사이즈 나노결정&rsquo
2026-01-14우리 대학은 지난 10일(토) 대전 본원 메타융합관에서 대교와 공동으로 조성한 ‘KAIST–대교 인지 향상 연구센터 라운지’ 개소식을 가졌다. 이번 라운지는 대교가 연구 협력의 일환으로 공간 조성을 현물 기부하며 마련된 것으로, KAIST와 대교가 공동으로 추진해 온 뇌 발달 및 인지기능 향상 연구를 보다 체계적으로 운영하고, 연구 성과를 사회와 공유하기 위한 거점 공간으로 조성됐다. KAIST는 본 행사를 통해 그간의 연구 협력 성과를 소개하고, 미래 교육과 뇌과학의 방향성을 함께 모색하는 자리를 가졌다. 이날 행사에는 이균민 교학부총장, 김대수 생명과학기술대학장을 비롯한 KAIST 주요 보직자와 강호준 대교 대표이사 등 양 기관 관계자들이 참석해 라운지 개소를 축하했다. 우리 대학은 지난 2023년 대교와 산학협력 연구 업무협약(MOU)을 체결한 이후, 뇌인지과학을 기반으로 영유아부터 성인, 시니어에 이르는 전 생애주기 인지기능 향상과 정
2026-01-12메모리와 태양전지 등은 모두 반도체로 만들어지며, 반도체 내부에는 전기 흐름을 방해하는 보이지 않는 결함이 숨어 있을 수 있다. 공동연구진이 이러한 ‘숨은 결함(전자 트랩)’을 기존보다 약 1,000배 더 민감하게 찾아낼 수 있는 새로운 분석 방법을 개발했다. 이 기술은 반도체 성능과 수명을 높이고, 불량 원인을 정확히 찾아 개발 비용과 시간을 크게 줄일 것으로 기대된다. 우리 대학은 신소재공학과 신병하 교수와 IBM T. J. Watson 연구소의 오키 구나완(Oki Gunawan) 박사 공동 연구팀이 반도체 내부에서 전기를 방해하는 결함(전자 트랩)과 전자의 이동 특성을 동시에 분석할 수 있는 새로운 측정 기법을 개발했다고 8일 밝혔다. 반도체 안에는 전자를 먼저 붙잡아 이동을 막는 전자 트랩이 존재할 수 있다. 전자가 여기에 걸리면 전기가 원활히 흐르지 못해 누설 전류가 생기거나 성능이 저하된다. 따라서 반도체 성능을 정확히 평가하려면 전자 트랩이
2026-01-08