-
6G 테라헤르츠 기술 선도를 위한 LG전자, KRISS와 R&D 협력 MoU
우리 대학이 LG전자, 한국표준과학연구원(KRISS)와 함께 차세대 이동통신 개발에 발 빠르게 대응한다.
우리 대학은 12일 대전 유성구에 위치한 한국표준과학연구원에서 LG-KAIST 6G 연구센터 조동호 센터장, 한국표준과학연구원 박현민 원장, LG전자 C&M표준연구소 김병훈 소장 등이 참석한 가운데 3자 업무협약(MOU)을 맺었다.
이번 협약으로 참여기관 3곳은 6G 기술에 대한 원천기술 개발부터 기술 검증까지 6G 연구개발 프로세스를 구축하는 계기를 마련했다.
협약 참여기관은 올해 하반기부터 6G 테라헤르츠(THz)와 관련한 원천 기술 개발, 기술 검증, 인프라 구축 및 운영, 주파수 발굴, 채널 특성 분석 등을 진행해 글로벌 기술 리더십을 확보할 계획이다.
6G는 2029년 상용화가 예상되는 차세대 이동통신 기술로 6G 시대에는 사람, 사물, 공간 등이 유기적으로 연결된 만물지능인터넷(AloE: Ambient IoE) 환경이 인공지능(AI)과 결합, 조성될 것으로 예상된다.
테라헤르츠 무선 송수신 기술은 6G 이동통신의 핵심이다. 이 기술은 0.1 테라헤르츠에서 수(數) 테라헤르츠에 이르는 주파수 대역을 활용하여 초당 최대 1테라비트(1Tbps)의 데이터 전송 속도를 가능하게 하는 기술이다.
앞서 우리 대학은 지난해 1월 LG전자와 LG-KAIST 6G 연구센터를 국내 최초로 설립하고 6G 이동통신 핵심 기술에 대한 선행 연구, 개발 등을 진행하고 있다. 특히 LG-KAIST 6G 연구센터는 현재까지 테라헤르츠 무선 송수신 원천 기술을 포함해 다수의 6G 핵심 기술 개발을 추진하고 있다.
조동호 센터장은 “우리나라가 5G 세계 최초 상용화에 이어 6G 이동통신의 연구개발을 주도하기 위해 국내 최고 산학연 기관들이 모여 4차 산업혁명 후 미래사회 인프라의 불확실성을 최소화하고 미래산업을 위한 기술 초석을 마련하는 것은 큰 의미가 있을 것”이라고 말했다.
한편 한국표준과학연구원은 1975년 설립된 국가측정표준 기관이다. 통신, 반도체, 자동차 등 국가 주력산업의 제품 품질 향상에 공헌하고 있다. 특히 연구원 내 전자파 표준그룹은 전자파 전 분야 측정표준을 확립해 국내외에 보급하고 있다. 또 6G 테라헤르츠에 활용될 220 GHz까지 주파수 대역의 원천 측정기술, 기술 검증 인프라 등을 확보하고 있다.
한국표준과학연구원 박현민 원장은 “한국표준과학연구원에서 개발하는 전자파분야 원천 측정기술이 우리나라 기업의 6G 연구개발 분야 글로벌 경쟁력 확보에 초석이 되기를 바란다”며 “산학연 간 긴밀하고 지속적인 연구협력으로 국내외 측정표준 분야에서 선도적인 역할을 기대한다”고 말했다.
LG전자 C&M표준연구소 김병훈 소장은 “차세대 이동통신 기술 선점 경쟁이 치열하다. LG전자는 이번 협약을 통해 6G 핵심 후보 기술인 테라헤르츠 무선 송수신에 대한 연구를 고도화 하고 글로벌 기술 리더십을 견고하게 구축하길 기대한다”며 “협약 기관들의 역량 강화를 넘어 국가 기술 경쟁력의 강화와 연구개발 협력 활성화에 기여하도록 노력해 나가겠다”고 강조했다.
2020.08.13
조회수 19473
-
최양규 교수, 실리콘 반도체보다 5배 빠르고 저렴한 탄소나노튜브 반도체 개발
우리 대학 전기및전자공학부 최양규 교수 연구팀이 국민대학교 최성진 교수와의 공동 연구를 통해 탄소나노튜브를 위로 쌓는 3차원 핀(Fin) 게이트 구조를 이용해 대면적의 탄소나노튜브 반도체를 개발했다.
이동일 연구원이 제 1저자로 참여한 이번 연구는 나노 분야 학술지 ‘에이씨에스 나노(ACS Nano)’ 12월 27일자에 게재됐다. (논문명: Three-Dimensional Fin-Structured Semiconducting Carbon Nanotube Network Transistor)
탄소나노튜브로 제작된 반도체는 실리콘 반도체보다 빠르게 동작하고 저전력이기 때문에 성능이 훨씬 뛰어나다.
그러나 대부분의 전자기기는 실리콘 재질로 만들어진 반도체를 이용한다. 높은 순도와 높은 밀도를 갖는 탄소나노튜브 반도체의 정제가 어렵기 때문이다.
탄소나노튜브의 밀도가 높지 않아 성능에 한계가 있었고 순도가 낮아 넓은 면적의 웨이퍼(판)에 일정한 수율을 갖는 제품을 제작할 수 없었다. 이러한 특성들은 대량 생산을 어렵게 해 상용화를 막는 걸림돌이었다.
연구팀은 문제 해결을 위해 3차원 핀 게이트를 이용해 탄소나노튜브를 위로 증착하는 방식을 사용했다. 이를 통해 50나노미터 이하의 폭에서도 높은 전류 밀도를 갖는 반도체를 개발했다.
3차원 핀 구조는 1마이크로미터 당 600개의 탄소나노튜브 증착이 가능해 약 30개 정도만을 증착할 수 있는 2차원 구조에 비해 20배 이상의 탄소나노튜브를 쌓을 수 있다.
그리고 연구팀은 이전 연구를 통해 개발된 99.9% 이상의 높은 순도를 갖는 반도체성 탄소나노튜브를 이용해 고수율의 반도체를 확보했다.
연구팀의 반도체는 50나노미터 이하의 폭에서도 높은 전류밀도를 갖는다. 실리콘 기반의 반도체보다 5배 이상 빠르면서 5배 낮은 소비 전력으로 동작 가능할 것으로 예상된다.
또한 기존의 실리콘 기반 반도체에 쓰이는 공정 장비로도 제작 및 호환이 가능해 별도의 비용이 발생하지 않는다.
제 1저자인 이동일 연구원은 “차세대 반도체로서 탄소나노튜브 반도체의 성능 개선과 더불어 실효성 또한 높아질 것이다”며 “실리콘 기반 반도체를 10년 내로 대체하길 기대한다”고 말했다.
이번 연구는 미래창조과학부 글로벌프론티어사업 스마트IT융합시스템 연구단과 미래유망융합파이오니아 사업의 씨모스 THz 기술 융합 연구단의 지원을 받아 수행됐다.
□ 그림 설명
그림1. 3차원 구조의 탄소나노튜브 전자소자의 모식도 및 실제 SEM 이미지
그림2. 개발된 8인치 기반의 대면적 3차원 탄소나노튜브 트랜지스터 전자 소자의 사진 및 단면을 관찰한 투과 전자 현미경 사진
2017.01.04
조회수 12761